전자회로실험13 MOSFET 공통 소오스 증폭기 주파수 특성 결과보고서
- 최초 등록일
- 2012.06.24
- 최종 저작일
- 2012.06
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소개글
엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.
목차
1. 실험 목적
2. 결과 사진 및 분석
3. 보고서 작성
본문내용
이번 실험의 큰 틀은 전류 소스를 부하로 사용한 능동부하 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성과 저항을 부하로 사용한 수동 부하 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을 비교 분석하는데에 목적이 있다고 볼 수 있습니다.
먼저 첫 번째 실험을 살펴보면 능동 부하에서는 그에 맞는 회로를 구성 한 후, 저항을 100K로 사용 하였을 때, DC전류 값이 약 30uA가 됨을 이용하여, DC전압 레벨을 측정함으로써 동작점의 전류를 알아보는 것이었는데, 결과값들을 살펴보면 를 측정 한 결과 45.1uA가 나왔습니다. 30에 근사한 값을 가져야 하지만 낮은 측정값에 의해 약간의 오차가 발생 한 것 같습니다. =2.55V가 나오게끔 하는 DC전압은 약 1.773V가 나왔는데 시뮬레이션 결과와 비슷한 값을 얻어서 실험 진행상 어려움이 없었고, 소신호 증폭에 대한 특성을 알아보기 위해 96mV의 소신호 전압과 함께 삼각파를 인가 한 후, 입, 출력 첨두치 전압을 측정 한 결과 각각 1.6V와 40.4V가 나왔습니다. 이를 통해 소신호 이득을 계산 하면 의 값을 얻을 수 있었으며, 위상 변화를 통해 반전 증폭기 임을 알게 되었습니다. 대신호 출력에 대한 한계점을 알아보기 위해, 소신호 전압을 계속 증가시켰더니,
참고 자료
없음